Advertisement
ciusss89

CIRCUITI_TEORIA

Aug 31st, 2011
175
0
Never
Not a member of Pastebin yet? Sign Up, it unlocks many cool features!
text 7.35 KB | None | 0 0
  1. 0)Sensitivity (sensibilita`)
  2. Permette di valutare l'influenza del cambiamento di un parametro, componente, grandezza su una funzione del sistema. Il cambiamenti può essere dovuto alle tolleranze, invecchiamento, variazioni della temperatura..
  3. S relativa = df(x)/dx * x/f(x) | S semirelativa = df(x)/dx *x | S assoluta = df(x)/dx
  4.  
  5. 1)I passi richiesti per linearizzare un componente elettronico:
  6. Si trova il punto di funzionamento a riposo (bias point), si linearizza intorno a quell punto (Taylor troncato al primo ordine), si toglie il contributo delle componenti continue (si spostano l’origine degli assi sul punto di lavoro). Per ottenere il range di funzionamento del dispositivo, è sufficiente maggiorare il primo ordine dello sviluppo con il secondo, si ottengono cosi i limiti di validità della linearizzazione.
  7.  
  8. 2)Modello di piccolo segnale di un transistore npn, indicando come si calcolano i vari parametri.Differenze del modello di un npn rispetto a un pnp.
  9. Il modello π, con rπ, gm,(oppure β) e r0, capacita` parassite Cπ e Cμ. I valori sono rπ=βVT/Ic, gm=Ic/VT e r0= VA/Ic (oppure anche r0= (VA+Vce)/Ic). Le capacità parassitè impongono dei limiti alle regioni di funzionamento del dispostitovo, Cμ*100≈Cπ. Il modello di piccolo segnale di un pnp e` identico a quello di un npn.
  10.  
  11. 2)Modello di piccolo segnale di un transistore nMOS, indicando come si calcolano i vari parametri.Differenze del modello di un nMOS rispetto a un pMOS.
  12. Paremtri modello gm=sqrt(2*Kn*W/L*Ids) Ids=Kn*W/2L*(Vg-Vth)^2 go=λIds. Le capacità parassitè Cgs e Cgd impongono dei limiti alle regioni di funzionamento del dispostitovo. Il gate di un mosfet è assimilabile come l’armatura di un condensatore, con capacità nell'ordine dei pF. Le due capacità Cgs e Cgd rappresentano l’accoppiamento tra il gate e gli altri due elettrodi. Il modello di piccolo segnale di un nMOS e` identico a quello di un pMOS.
  13.  
  14. 2b)Caratteristica statica MOS in zona triodo e in saturazione, considerando l’effetto di modulazione della lunghezza di canale
  15. In saturazione Ids=Kn/2*W/L*(Vgs-Vtn)^2*(1+Vds/va) | In zona triodo = Ids=Kn/2*W/L*[(Vgs-Vtn)*Vds-(Vds^2)/2]*(1+Vds/Va)
  16.  
  17. 3)Indicare le impedenze di ingresso viste da drain, gate e source di un mos,Supponendo quando necessario il source o il drain al potenziale di riferimento e con λ≠0.
  18. ZGin= ∞ || ZDin= r0 || ZSin= (1/gm)//r0 || r0->∞ = 1/gm || Ft= 1/2pi *gm/(Cgs+Cg)
  19.  
  20. 3)Impedenze di ingresso viste da collector, base e emitter di un bjt.
  21. ZBin=rbb+rpi+(1+b)ZE || ZCin=∞ (più accuratamente r0) || ZEin=(Zb+rbb+rpi)/(B+1) || Ft= 1/2pi*gm/(Cpi+Cu)
  22.  
  23. 3b) Configurazione MOS:
  24. Source Comune [ Zin=Rgeq <-> Zout=ro||Rd ≈ Rd <-> Av=-gmRD (NO Rs) Av=-gmRd/(1+gmRs) (CON Rs) ]
  25. Drain Comune [ Zin=Rgeq <-> Zout=Rs||Zs <-> Av=gmRs/(1+gmRs) ]
  26. Gate Comune [ Zin=Rs||Zs <-> Zout=Rd||Zd <-> Av=Rdgm meglio Rd/(Rin+1/gm)]
  27.  
  28. 3b) Configurazione BJT:
  29. Emett. Comune [ Zin=Rbeq||Zb <-> Zout= Rc||ro ≈ RC <-> Av=-gmRc (NO RE) Av=((-Rc*β)/(rbb+rπ+(β+1)Re)) (CON RE) ]
  30. Colle. Comune [ Zin=Rbeq||Zb <-> Zout= Re||Ze <-> Av= (β+1)Re/(rbb+rπ+(β+1)Re)]
  31. Base. Comune [ Zin=Re||Ze <-> Zout= Rc||ro ≈ RC <-> Av=gmRc meglio β/(rbb+β/gm)]
  32.  
  33. 4)Effetto EARLY [Modulazione della larchezza effettiva di base]
  34. Riferita ai transistori BJT, consiste nella variazione della larghezza della base, dovuta ad una variazione della tensione di collettore. Nel modello di piccolo segnale, questo contributo è rappresentato dalla ro, è ed responsabile dell'andamento lineare (di tipo resisistivo) e non costante della Ic in funzione della Vce. Infatti, l'aumento della Vce, provoca un aumento della larghezza della regione di svuotamento che nella peggiore delle ipotesi cortocircuità la base, distruggendo il transistor.
  35.  
  36. 5) SOA [safe operating area]
  37. Definisce i valori massimi di tensione e corrente per i quali il dispositivo può funzionare senza rischiare l'autodistruzione. Con buona approssimazione, definiamo la massima potenza dissipabile come Pd≈IcVce
  38.  
  39. 6) Metodo delle costanti di tempo
  40. Deve essere verifica l'ipotesi che che l’impedenza di un elemento reattivo non vada ad influenzare la resistenza equivalente vista dall’altro. Quindi si procede considerando prima L'elemento chiuso o aperto, se ne calcola quindi per ogni componente reattivo la sua τ e le si dispone su di un asse del tempo. Per usare questo metodo, i segmenti devono essere distanti almeno una decade. Gli errori che compiamo sono nell'ordine del 10%.
  41.  
  42. 7) Teorema di Norton
  43. Consiste nel calcolo di due parametri,ossia la corrente equivalente i, e l’impedenza equivalente Zu. Il teorema è efficente se abbiamo un prelievo in tensione.
  44. 1.Per la i, è sufficiente cortocircuitare il nodo di prelievo a 0V, cosi facendo non "vanifico" la retroazione, e lavorerò con un normalissimo
  45. circuito non retroazionato.
  46. 2.Pe la Zu , si spengono tutti i generatori indipendenti, si pone sull’uscita un generatore di tensione al posto del corto circuito; si calcola la
  47. corrente in uscita dal generatore, e Zu=Vp/Ip.
  48.  
  49. 8) Teorema di MILLER [trasformazione impedenza]
  50. Sia B un bipolo di impedenza Z afferente ai nodi N1 e N2. Il teorema di Miller afferma che B può essere sostituito da due bipoli B1 e B2 connessi rispettivamente tra N1 e N0 e tra N2 e N0 (N0 è un nodo di riferimento), di impedenze Z1=Z/(1-Av) Z2=Z/(1-Av/1) dove Av è la funzione di trasferimento del blocco tra i nodi N1 e N2.
  51.  
  52. 9) RETROAZIONE
  53. Effetti Zout [Prelievo tensione (parallelo) -> Diminisce Zout | Prelievo Corrente (serie)-> Aumenti Zout ]
  54. Effetti Zin [Confronto serie (tesione) -> Auenta Zin | Confronto Parallelo (corrente) -> Diminusce Zin ]
  55. Effetti Sensitivity, il guadagno risulta meno dipendente alla variabilità dei componenti attivi. Aumento della banda passante del sistema controreazionato. Aumenta la linearità complessiva dell’amplificator, riducendone le distorsioni, e questo lo si paga con un minor guadagno.
  56. Amplificatore di TENSIONE : [Prelievo in Tensione | Confronto in Tensione ]
  57. Amplificatore di CORRENTE : [Prelievo in Corrente | Confronto in Corrente ]
  58. Amplificatore di Transconduttanza : [Prelievo in Corrente | Confronto in Tensione ]
  59. Amplificatore di Transresistenza : [Prelievo in Tensione | Confronto in Corrente ]
  60.  
  61. 10) Indicare brevemente come si trova il guadagno di anello con il metodo di Rosenstark
  62. Si individua un generatore dipendente all’interno dell’anello, possibilmente riferito al potenziale zero, lo si mette “da parte”, sostituendolo con un generatore indipendente dello stesso tipo (V o I) di valore Xp (X puo` essere V o I). Si calcola il valore Xr ( Ir o Vr) generato dal generatore dipendente eccitato dal generatore di prova Xp. Il guadagno di anello (rapporto di ritorno) è dato da T=-Xr/Xp
  63.  
  64. 11)Blackman:
  65. Per il calcolo di una impedenza mediante blackman, Si scelga un generatore dipendente da una grandezza pilota (Possibilmente connesso con un riferimento a massa), si spengano tutti i generatori indipendenti, la resistenza equivalente vista tra daii due morsetti scelti è =Rd*(1+Tsc)/(1+Toc) `
  66. 1. Rd = E' la resistenza vista ai capi a sistema morto, cioè quando (viene spento il generatore dipendente scelto)
  67. 2. Tsc =E' il fattore di riporto ottenuto cortocircuitando i terminali da cui "guardiamo".
  68. 3. Toc =E' il fattore di riporto ottenuto aprendo i terminali da cui "guardiamo".
Advertisement
Add Comment
Please, Sign In to add comment
Advertisement