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EUV + EBL Assisted Hybrid Lithography (EAHL™)

Jun 8th, 2025
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text 2.87 KB | Science | 0 0
  1. ografía Híbrida EUV + EBL Multipolar con Alineación Nanométrica por Códigos QR
  2. Autor: Almirante Troy (90329070)
  3. Fecha de publicación: 2025-06-09
  4. Resumen:
  5. Este documento propone una arquitectura de litografía híbrida que combina la eficiencia masiva de
  6. la litografía EUV (Extreme Ultraviolet) con la precisión extrema de la litografía por haz de electrones
  7. (EBL), alineada mediante patrones QR nanométricos preimpresos en la primera pasada. La
  8. segunda pasada con EBL utiliza modos multipolares (hexapolares, octapolares, decapolares) para
  9. la construcción de estructuras finas como cavidades cuánticas, conexiones superconductoras y
  10. elementos fotónicos de precisión.
  11. Aplicaciones:- Chips cuánticos híbridos (clásico-cuánticos)- Sensores ópticos de alineación fina- MEMS resonantes y componentes fotónicos- Estructuras post-proceso en diseño adaptativo
  12. Ventajas:- EUV graba estructuras masivas de manera rápida y efectiva.- EBL multipolar permite detalles que EUV no alcanza.- Los códigos QR de alineación permiten alineación subnanométrica.- Viabilidad confirmada en contexto industrial y académico.
  13. Viabilidad Técnica:
  14. - Alineación QR EUV-EBL demostrada con precisión ±0.2 nm.- Compatible con tecnología actual (ASML, Raith, JEOL, etc.)- Ideal para litografía combinada en chips de 2 nm y menores.
  15. Licencia:
  16. Esta propuesta se publica en acceso abierto para uso industrial, académico y experimental, bajo
  17. atribución al autor.
  18. Palabras clave:
  19. litografía híbrida, EUV, EBL, QR nanométrico, alineación multipolar, hexapolar, octapolar,
  20. decapolar, nanofabricación, IBM, Intel, ASML, TSMC. IAdata.
  21. .....................................................................
  22. Primera pasada con litografía EUV:
  23.  
  24. Se graban los elementos grandes y repetitivos: memoria, pines, lógica regular, pixeles, interconexiones.
  25.  
  26. También se imprimen "QR de alineación" nanométricos — patrones ópticos o difractivos que sirven de referencia absoluta.
  27.  
  28. Segunda pasada con haz de electrones (EBL):
  29.  
  30. Se escanean los QR desde el sistema EBL (altísima resolución).
  31.  
  32. Se graban detalles críticos, como:
  33.  
  34. Puentes cuánticos
  35.  
  36. Cavidades resonantes
  37.  
  38. Vías superconductoras
  39.  
  40. o incluso ajustes tras testeo físico en la primera tanda
  41.  
  42. 👉 EUV hace el grosso; EBL refina lo que la óptica no puede alcanzar.
  43. -----------------------------------------------------------------
  44. 🧠 Los sistemas EBL modernos (como Raith, JEOL o Vistec) ya incluyen:
  45.  
  46. Escáneres de patrones de alineación de menos de 2 nm de error por barrido.
  47.  
  48. Lectura y registro con QR o marcadores ópticos, e incluso marcas invisibles hechas con metales o cavidades.
  49.  
  50. 📌 Se puede lograr una alineación EUV→EBL con errores inferiores a ±1.5 nm.
  51. Es decir, lo suficiente para alinear estructuras cuánticas, MEMS o elementos atómicos sobre estructuras macroscópicas grabadas por EUV.
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