Rom – tylko do odczytu. Jej zawartość jest nieznana. Raz zapisana inf. Jest trwale przechowywana przez dlugi czas  i może być wielokrotnie odczytywana. Pamieć Rom po wył komputera nie straci swoich danych. PROM – programowanie polega na tym, że przerywamy bezpiecznik, przepalamy go tam gdzie nie powinno być tranzystora. Robimy to przez podniesienie zasilania UCC do UPP. Proces nieodwracalny. Programowalny ROM przez użytkownika.EProm- kasowalno-zapisywalna pamięć stała. Programowanie elektryczne słowo po słowie, kasowanie globalne światłem o określonej długości fali(uv). Programowanie odbywa się na kluczu.Osadza się odp.ładunek.  EEProm- pamięć zapisywana i kasowana elektrycznie. Można Kasować wybrane obszary pamieci. EEProm FLASH – prosta budowa. Kasowanie elektryczne. Czas dostępu do nich jest znacznie krótszy niż do EEPROM klasycznej. Duża gęstość upakowania, mogą być zapisywane i kasowane wiele tysięcy razy bardzo szybko bo całego bloku. SRAM – statyczna pamięć o dostępie swobodnym. Typ pamięci półprzewodnikowej stosowanej w komputerach służy jako pamięć buforująca między pamięcią operacyjną, a procesorem. Przechowuje dane tak długo jak włączone jest zasilanie. Pamięć używana w szybkich pamięciach podręcznych cache, gdyż nie wymagają one dużej pojemności. Bity przechowywane na zasadzie przełącznika, duże zużycie energii, nie wymaga odświeżania stanu- brak kondensatora, drogie rozwiązanie, szybki dostęp do komórek, bateryjne podtrzymywanie zasilania- pamięci trwałe. DRAM – rodzaj ulotnej pamięci półprzewodnikowej RAM, która przechowuje każdy bit danych w oddzielnym kondensatorze wew. Ukł. Scalonego. Każdy bit jest czytany lub pisany na linię adresową podawany jest sygnał i przez tranzystor zaczyna płynąć prąd. Odczyta komórki pamięci jest operacją niszcząca powodująca rozładowanie kondensatora, wew. Ukł sterujący zapewnia regenerację, kondensatory komórek nieużywanych przez pewien czas rozładowują się stopniowo poprzez pasożytnicze upływności układu. Konieczność okresowego odświeżania zawartości pamięci. Ram – pamięć zapisywalno-odczytywalna. Dzieli się na statyczną i dynamiczną. Statyczna: bit tworzony przez przerzutnik(6 tranzystorów), mała gęstość upakowania duża złożoność 1 pkt pamieci.Dynamiczna: informacja w postaci ładunku na kondensatorze, aby sprawdzić napięcie na nim potrzeba 1 tranzystor, a więc 1 bit = tranzystor + kondensator, duża gęstość upakowania, odczyt jest odczytem niszczącym (jak kondensator się rozładuje to nie ma informacji), ładunek na Cs się ulatnia samoistnie przez rezystancję upływu -> to wymaga odświeżania(odczyt komórki nie żadniej niż tk – czas krytyczny), występuje też problem multipleksowania adresów(aby nie było zbyt dużo lini adresowych, które powodowałyby duże rozmiary pamięci. Impuls –sygnał o skończonym czasie trwania, który ma określone parametry opisujące jego charakterystykę. Przykłądem impulsu są impulsy cyfrowe, czyli bity przesyłane pomiedzy dwoma urządzeniami cyfrowymi, reprezentowane jako podwyższenia lub obniżenia napięcia elektrycznego na kablu miedzianym, promienie świetlne biegnące przez kabel światłowodowy albo fale radiowe pomiędzy urządzeniami sieci bezprzewodowej.